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En concordancia suscribo este documento en la Universidad de San Buenaventura, Bogotá, a los ________ días del mes de ____________________ de _________.
NOMBRE _______________________________________ FIRMA ________________________________________
DOC. IDENTIDAD__________________________________
Abstract
Este artículo presenta la implementación de un prototipo de prueba de una cavidad resonante SIW en banda S, utilizando la tecnología LTCC en combinación con un substrato de alta permitividad (substrato Heraeus Heratape ®CT765, εr = 68,7 a 2.5 GHz). Dicho diseño aprovecha las características que ofrece la tecnología SIW tales como un factor de calidad elevado y su capacidad de integración con tecnologías planares, junto con la flexibilidad de diseño y la reducción de tamaño proporcionadas por la tecnología multicapa LTCC en un ambiente de alta permitividad. La topología presentada está encaminada a determinar el valor de la constante dieléctrica del substrato en la banda especificada, así como para verificar la precisión y capacidades de manufactura de la empresa seleccionada para la fabricación de prototipos en tecnología LTCC.
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